獲取試驗(yàn)方案?獲取試驗(yàn)報(bào)價(jià)?獲取試驗(yàn)周期?
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試望見(jiàn)諒。
硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2011-01-10
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【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
法語(yǔ)CTP 檢驗(yàn)檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室技術(shù)要求驗(yàn)收規(guī)范
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2018-12-28
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【CCS分類】P33居住與公共建筑工程
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【ICS分類】集成電路、微電子學(xué)
硅基MEMS制造技術(shù) 微鍵合區(qū)剪切和拉壓強(qiáng)度檢測(cè)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2012-05-11
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【CCS分類】L55微電路綜合
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【ICS分類】31.200半導(dǎo)體材料
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2020-06-02
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【CCS分類】J04基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法
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【ICS分類】半導(dǎo)體材料
太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊紅外探傷檢測(cè)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-DB65新疆維吾爾自治區(qū)地方標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2013-10-20
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【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
重?fù)絥型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2009-10-30
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【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
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【ICS分類】29.045有關(guān)土質(zhì)的其他標(biāo)準(zhǔn)
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2009-10-30
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【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
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【ICS分類】29.045土壤的化學(xué)特性
土壤檢測(cè) 第15部分:土壤有效硅的測(cè)定
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【發(fā)布單位或類別】 CN-NY行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-農(nóng)業(yè)
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【發(fā)布日期】2006-07-10
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【CCS分類】B11土壤、水土保持
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【ICS分類】13.080.99非金屬礦
土壤檢測(cè)方法 有效態(tài)元素的測(cè)定 第9部分:有效硅含量的測(cè)定
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【發(fā)布單位或類別】 CN-DB65新疆維吾爾自治區(qū)地方標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2024-02-23
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【CCS分類】B11土壤、水土保持
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【ICS分類】13.080.10金屬材料試驗(yàn)
電站現(xiàn)場(chǎng)晶體硅太陽(yáng)能電池組件隱性缺陷檢測(cè)技術(shù)規(guī)范
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【發(fā)布單位或類別】 CN-DB63青海省地方標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2020-04-08
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【CCS分類】F23電站、電力系統(tǒng)運(yùn)行檢修
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【ICS分類】73.080食品試驗(yàn)和分析的一般方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2015-10-09
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【CCS分類】J04基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法
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【ICS分類】半導(dǎo)體材料
硅片流動(dòng)圖形缺陷的檢測(cè) 腐蝕法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2023-11-27
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【CCS分類】H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
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【ICS分類】77.040粘合料、密封材料
進(jìn)出口食品中氟硅唑殘留量檢測(cè)方法 氣相色譜-質(zhì)譜法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-SN行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-商品檢驗(yàn)
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【發(fā)布日期】2008-11-18
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【CCS分類】X04基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法
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【ICS分類】67.050太陽(yáng)能工程
硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2009-10-30
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【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
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【ICS分類】29.045犯罪行為防范
硅酮結(jié)構(gòu)密封膠中烷烴增塑劑檢測(cè)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2015-07-03
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【CCS分類】Q24密封材料
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【ICS分類】91.100.50其他半導(dǎo)體分立器件
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2018-12-28
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【CCS分類】P33居住與公共建筑工程
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【ICS分類】金屬材料的其他試驗(yàn)方法
晶體硅光伏組件 光熱誘導(dǎo)衰減(LETID)試驗(yàn) 檢測(cè)
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【發(fā)布單位或類別】 CN-PLAN國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃
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【發(fā)布日期】2023-12-28
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【CCS分類】犯罪鑒定技術(shù)
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【ICS分類】27.160
法庭科學(xué) 硅藻rbcL基因特異片段檢測(cè) 毛細(xì)管電泳熒光檢測(cè)法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GA行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-公共安全標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2021-10-14
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【CCS分類】A92電子技術(shù)專用材料
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【ICS分類】13.310
半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù) 第2部分:缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2023-12-28
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【CCS分類】L90金屬無(wú)損檢驗(yàn)方法
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【ICS分類】31.080.99
碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2014-12-31
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【CCS分類】H26
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【ICS分類】77.040.99
實(shí)驗(yàn)儀器
測(cè)試流程

注意事項(xiàng)
1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。
2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考,因?yàn)槊總€(gè)樣品和項(xiàng)目都有所不同,所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。
3.關(guān)于(樣品量)的需求,最好是先咨詢我們的工程師確定,避免不必要的樣品損失。
4.加急試驗(yàn)周期一般是五個(gè)工作日左右,部分樣品有所差異
5.如果對(duì)于(硅 檢測(cè) 標(biāo)準(zhǔn))還有什么疑問(wèn),可以咨詢我們的工程師為您一一解答。