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獲取試驗(yàn)方案？獲取試驗(yàn)報(bào)價(jià)？獲取試驗(yàn)周期？
注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個(gè)人委托測試望見諒。
GB/T 26066-2010
硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2011-01-10
- 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
T/ZSA 38-2020
SiC晶片的殘余應(yīng)力檢測方法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-TUANTI團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2020-12-17
- 【CCS分類】H80/84半金屬與半導(dǎo)體材料
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
T/IAWBS 008-2019
SiC晶片的殘余應(yīng)力檢測方法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-TUANTI團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2019-12-27
- 【CCS分類】H60/69有色金屬及其合金產(chǎn)品
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
GB/T 31351-2014
碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2014-12-31
- 【CCS分類】H26金屬無損檢驗(yàn)方法
- 【ICS分類】77.040.99金屬材料的其他試驗(yàn)方法
GB/T 16595-2019
晶片通用網(wǎng)格規(guī)范
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2019-03-25
- 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
T/CASAS 013-2021
碳化硅晶片位錯(cuò)密度檢測方法 KOH腐蝕結(jié)合圖像識別法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-TUANTI團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2021-11-01
- 【CCS分類】H20/29金屬理化性能試驗(yàn)方法
- 【ICS分類】01.040詞匯
GB/T 5238-2019
鍺單晶和鍺單晶片
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2019-06-04
- 【CCS分類】H82元素半導(dǎo)體材料
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
GB/T 16596-2019
確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2019-03-25
- 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
GB/T 44631-2024
晶片承載器傳輸并行接口要求
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2024-09-29
- 【CCS分類】L97加工專用設(shè)備
- 【ICS分類】31.260光電子學(xué)、激光設(shè)備
GB/T 26071-2018
太陽能電池用硅單晶片
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2018-09-17
- 【CCS分類】H82元素半導(dǎo)體材料
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
GB/T 32988-2016
人造石英光學(xué)低通濾波器晶片
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2016-10-13
- 【CCS分類】L21石英晶體、壓電元件
- 【ICS分類】31.160濾波器
GB/T 30866-2014
碳化硅單晶片直徑測試方法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2014-07-24
- 【CCS分類】H83化合物半導(dǎo)體材料
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
GB/T 32278-2015
碳化硅單晶片平整度測試方法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2015-12-10
- 【CCS分類】H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
- 【ICS分類】77.040金屬材料試驗(yàn)
YS/T 986-2014
晶片正面系列字母數(shù)字標(biāo)志規(guī)范
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-YS行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-有色金屬
- 【發(fā)布日期】2014-10-14
- 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
GB/T 13387-2009
硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2009-10-30
- 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
GB/T 30867-2014
碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2014-07-24
- 【CCS分類】H83化合物半導(dǎo)體材料
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
GB/T 30868-2014
碳化硅單晶片微管密度的測定 化學(xué)腐蝕法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2014-07-24
- 【CCS分類】H83化合物半導(dǎo)體材料
- 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
SJ 3118-1988
晶片承載器
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-SJ行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子
- 【發(fā)布日期】1988-04-08
- 【CCS分類】L34其他電子元器件
- 【ICS分類】金屬材料試驗(yàn)
GB/T 34481-2017
低位錯(cuò)密度鍺單晶片腐蝕坑密度（EPD）的測量方法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2017-10-14
- 【CCS分類】H25金屬化學(xué)性能試驗(yàn)方法
- 【ICS分類】77.040金屬材料試驗(yàn)
GB/T 24578-2024
半導(dǎo)體晶片表面金屬沾污的測定 全反射X射線熒光光譜法
- 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
- 【發(fā)布日期】2024-07-24
- 【CCS分類】H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
- 【ICS分類】77.040
我們的優(yōu)勢
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儀器齊全
北檢院實(shí)驗(yàn)室百余臺大型試驗(yàn)儀器，適用于各種材料的樣品，并且還有非標(biāo)試驗(yàn)的工裝定制服務(wù)。
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技術(shù)經(jīng)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)室工程師有著豐富的測試經(jīng)驗(yàn)，無論是常規(guī)樣品還是科研樣品，都有定制化試驗(yàn)方案。
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領(lǐng)域廣泛
服務(wù)覆蓋領(lǐng)域廣，主要包括：材料，能源，性能測試，醫(yī)藥領(lǐng)域，生物，動物，植物等科研項(xiàng)目領(lǐng)域。
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售后支持
我們提供強(qiáng)大的后期技術(shù)支持，如果您對于報(bào)告有疑問或者對于試驗(yàn)有疑問，我們可以為您提供完善的解答服務(wù)。
實(shí)驗(yàn)儀器
測試流程
注意事項(xiàng)
1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。
2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考，因?yàn)槊總€(gè)樣品和項(xiàng)目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。
3.關(guān)于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。
4.加急試驗(yàn)周期一般是五個(gè)工作日左右，部分樣品有所差異
5.如果對于（晶片檢測檢測標(biāo)準(zhǔn)）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。
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服務(wù)保障 一對一品質(zhì)服務(wù)
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定制方案 提供非標(biāo)定制試驗(yàn)方案
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保密協(xié)議 簽訂保密協(xié)議，嚴(yán)格保護(hù)客戶隱私
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全國取樣/寄樣 全國上門取樣/寄樣/現(xiàn)場試驗(yàn)
