獲取試驗(yàn)方案?獲取試驗(yàn)報(bào)價(jià)?獲取試驗(yàn)周期?
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試望見諒。
微電路 數(shù)字 CMOS 錯(cuò)誤檢測(cè)和校正單元 單片硅(取代DESC 5962-88533A)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】1994-04-20
-
【CCS分類】航天用液壓元件與附件
-
【ICS分類】航空航天制造用零部件
MIL DESC 5962-88613A Notice B-Revision
微電路 數(shù)字CMOS 16位錯(cuò)誤檢測(cè)和校正單元 單片硅(取代DESC 5962-88613)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】1991-11-25
-
【CCS分類】半導(dǎo)體光敏器件
-
【ICS分類】集成電路、微電子學(xué)
微電路 數(shù)字 CMOS 32位流經(jīng)錯(cuò)誤檢測(cè)和校正單元 單片硅(取代DESC 5962-92122A)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】1993-10-12
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字CMOS 16位錯(cuò)誤檢測(cè)和校正單元 單片硅(取代DESC 5962-88613)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】1990-09-24
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 抗輻射CMOS 9位奇偶校驗(yàn)發(fā)生器/檢測(cè)器 單片硅
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】1995-12-13
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 抗輻射先進(jìn)CMOS 錯(cuò)誤檢測(cè)和校正單元 三態(tài)輸出 單片硅(取代DESC 5962-96711)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2000-06-21
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 高級(jí)CMOS 九位奇偶校驗(yàn)發(fā)生器/檢測(cè)器 單片硅(取代DESC 5962-92201)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2003-04-17
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 抗輻射 先進(jìn)的CMOS 16位并行錯(cuò)誤檢測(cè)和校正電路 三態(tài)輸出 單片硅(取代DSCC 06239)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2007-04-17
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 抗輻射 高級(jí)CMOS 9位奇偶校驗(yàn)發(fā)生器/檢測(cè)器 單片硅(取代DESC 5962-96582)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2006-03-20
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 抗輻射先進(jìn)CMOS 9位奇偶校驗(yàn)發(fā)生器檢測(cè)器 單片硅(取代DESC 5962-96708)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2000-06-14
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 抗輻射 高級(jí)CMOS 錯(cuò)誤檢測(cè)和校正電路 三態(tài)輸出 TTL兼容輸入 單片硅(取代DESC 5962-96721)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2000-07-03
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 抗輻射 高級(jí)CMOS 9位奇偶校驗(yàn)發(fā)生器/檢測(cè)器 TTL兼容輸入 單片硅(取代DESC 5962-96583)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2006-03-20
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 抗輻射 高級(jí)CMOS 9位奇偶校驗(yàn)發(fā)生器/檢測(cè)器 單片硅(S/S由DSCC 5962-96582B提供)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】1996-05-20
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路、數(shù)字、抗輻射、高級(jí)CMOS、9位奇偶校驗(yàn)發(fā)生器/檢測(cè)器、TTL兼容輸入、單片硅(由DSCC 5962-96583B提供)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】1996-05-20
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 ADVANCECD CMOS 八進(jìn)制雙向收發(fā)器 帶8位奇偶校驗(yàn)發(fā)生器/檢測(cè)器 三態(tài)輸出 TTL兼容
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】1993-04-20
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
CMOS集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求
-
【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2021-12-31
-
【CCS分類】V29
-
【ICS分類】49.035
微電路、數(shù)字、高級(jí)CMOS、抗輻射、9位可鎖存收發(fā)器 帶奇偶校驗(yàn)發(fā)生器/檢測(cè)器 具有非反相三態(tài)輸出、TTL兼容輸入和輸出、單片硅(取代DSCC 06240)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2007-04-17
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
集成電路 CMOS圖像傳感器測(cè)試方法
-
【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2023-09-07
-
【CCS分類】L54
-
【ICS分類】31.200
微電路 數(shù)字 抗輻射 先進(jìn)的CMOS 16位并行錯(cuò)誤檢測(cè)和校正電路 三態(tài)輸出 單片硅(S/S由DSCC 06239A提供)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】2006-12-21
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
微電路 數(shù)字 高級(jí)CMOS 帶奇偶校驗(yàn)發(fā)生器/檢測(cè)器的9位可鎖存收發(fā)器 帶非反相三態(tài)輸出 TTL兼容(由DSCC 5962-93141A提供S/S)
-
【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
-
【發(fā)布日期】1993-04-16
-
【CCS分類】
-
【ICS分類】
實(shí)驗(yàn)儀器
測(cè)試流程

注意事項(xiàng)
1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。
2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考,因?yàn)槊總€(gè)樣品和項(xiàng)目都有所不同,所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。
3.關(guān)于(樣品量)的需求,最好是先咨詢我們的工程師確定,避免不必要的樣品損失。
4.加急試驗(yàn)周期一般是五個(gè)工作日左右,部分樣品有所差異
5.如果對(duì)于(檢測(cè)cmos壞點(diǎn)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn))還有什么疑問,可以咨詢我們的工程師為您一一解答。