獲取試驗方案?獲取試驗報價?獲取試驗周期?
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試望見諒。
耐火材料用工業(yè)硅中單質(zhì)硅和二氧化硅的測定方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-YB行業(yè)標準-黑色冶金
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【發(fā)布日期】2019-08-27
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【CCS分類】Q40耐火材料綜合
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【ICS分類】81.080耐火材料
硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標準
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【發(fā)布日期】2011-01-10
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【CCS分類】H80半金屬與半導體材料綜合
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【ICS分類】29.045半導體材料
重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標準
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【發(fā)布日期】2009-10-30
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【CCS分類】H80半金屬與半導體材料綜合
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【ICS分類】29.045半導體材料
土壤檢測 第15部分:土壤有效硅的測定
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【發(fā)布單位或類別】 CN-NY行業(yè)標準-農(nóng)業(yè)
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【發(fā)布日期】2006-07-10
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【CCS分類】B11土壤、水土保持
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【ICS分類】13.080.99有關(guān)土質(zhì)的其他標準
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標準
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【發(fā)布日期】2009-10-30
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【CCS分類】H80半金屬與半導體材料綜合
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【ICS分類】29.045半導體材料
土壤檢測方法 有效態(tài)元素的測定 第9部分:有效硅含量的測定
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【發(fā)布單位或類別】 CN-DB65新疆維吾爾自治區(qū)地方標準
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【發(fā)布日期】2024-02-23
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【CCS分類】B11土壤、水土保持
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【ICS分類】13.080.10土壤的化學特性
天然氣單質(zhì)硫含量測定方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-SY行業(yè)標準-石油
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【發(fā)布日期】2022-11-04
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【CCS分類】E11石油地質(zhì)勘探
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【ICS分類】75.010石油及相關(guān)技術(shù)綜合
REACH法規(guī)高關(guān)注物質(zhì)中鈷、砷、鉻、鈉、錫、鉛、鋅、硅、鋁、鉬、鉀、鍶、鋯和鈣的快速篩選檢測方法 波長色散X射線熒光光譜法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-SN行業(yè)標準-商品檢驗
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【發(fā)布日期】2014-11-19
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【CCS分類】G04基礎(chǔ)標準與通用方法
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【ICS分類】71.040.40化學分析
光伏組件.潛在誘發(fā)退化檢測的試驗方法.第1部分:晶體硅
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【發(fā)布單位或類別】 KR-KS韓國標準
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【發(fā)布日期】2016-12-28
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【CCS分類】石膏制品
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【ICS分類】27.160太陽能工程
光伏(PV)模塊 - 用于檢測潛在的降解的測試方法 - 第1部分:晶體硅
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【發(fā)布單位或類別】 KR-KS韓國標準
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【發(fā)布日期】2016-12-28
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【CCS分類】
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【ICS分類】27.160太陽能工程
光伏組件.潛在誘發(fā)退化檢測的試驗方法.第1部分:晶體硅
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【發(fā)布單位或類別】 IX-IEC國際電工委員會
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【發(fā)布日期】2015-08-06
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【CCS分類】
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【ICS分類】27.160太陽能工程
光伏組件.潛在誘發(fā)退化檢測的試驗方法.第1-1部分:晶體硅.分層
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【發(fā)布單位或類別】 IX-IEC國際電工委員會
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【發(fā)布日期】2020-01-10
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【CCS分類】
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【ICS分類】27.160太陽能工程
石膏及石膏制品 第6部分:單質(zhì)硫的測定
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【發(fā)布單位或類別】 CN-SN行業(yè)標準-商品檢驗
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【發(fā)布日期】2012-12-12
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【CCS分類】Q62
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【ICS分類】91.100.10水泥、石膏、石灰、砂漿
光伏組件.潛在誘發(fā)退化檢測的試驗方法.第1部分:晶體硅(IEC/TS 62804-1-2015)
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【發(fā)布單位或類別】 DE-DIN德國標準化學會
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【發(fā)布日期】2017-05-01
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【CCS分類】
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【ICS分類】環(huán)保、保健和安全 (詞匯)
水質(zhì) 單質(zhì)磷的測定 磷鉬藍分光光度法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-HJ行業(yè)標準-環(huán)保
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【發(fā)布日期】2010-10-21
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【CCS分類】z
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【ICS分類】01.040.13氣體燃料
用光譜檢測氣相色譜法測定氣體燃料樣品中揮發(fā)性含硅化合物的標準試驗方法
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【發(fā)布單位或類別】 US-ASTM美國材料與試驗協(xié)會
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【發(fā)布日期】2019-06-01
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【CCS分類】
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【ICS分類】75.160.30半導體材料
微電路 數(shù)字 抗輻射 先進的CMOS 16位并行錯誤檢測和校正電路 三態(tài)輸出 單片硅(取代DSCC 06239)
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標準
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【發(fā)布日期】2007-04-17
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【CCS分類】
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【ICS分類】
拋光硅晶片中氧化誘導缺陷檢測的標準實踐(2003年提出)
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【發(fā)布單位或類別】 US-ASTM美國材料與試驗協(xié)會
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【發(fā)布日期】2002-12-10
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【CCS分類】
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【ICS分類】29.045
微電路 數(shù)字 雙極 先進的SHCOTTKY TTL 串行數(shù)據(jù)多項式發(fā)生器/檢測器單片硅
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標準
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【發(fā)布日期】1992-02-06
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【CCS分類】
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【ICS分類】
單質(zhì)炸藥制造工
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【發(fā)布單位或類別】 UNKNOWN其他未分類
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【發(fā)布日期】2003-01-23
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【CCS分類】
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【ICS分類】
實驗儀器
測試流程

注意事項
1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。
2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考,因為每個樣品和項目都有所不同,所以最終以工程師告知的為準。
3.關(guān)于(樣品量)的需求,最好是先咨詢我們的工程師確定,避免不必要的樣品損失。
4.加急試驗周期一般是五個工作日左右,部分樣品有所差異
5.如果對于(單質(zhì)硅檢測的檢測標準)還有什么疑問,可以咨詢我們的工程師為您一一解答。