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注意：因業(yè)務調整，暫不接受個人委托測試望見諒。

信息概要

硅片是半導體行業(yè)的核心基礎材料，廣泛應用于集成電路、太陽能電池等領域。國家檢測標準對硅片的性能和質量提出了嚴格要求，第三方檢測機構通過專業(yè)檢測服務確保產品符合國標（如GB/T 12962、GB/T 13389等），保障其在關鍵應用中的可靠性與安全性。檢測能夠有效識別硅片缺陷、控制工藝參數、優(yōu)化產品性能，避免因材料問題導致的器件失效，對提升產業(yè)鏈整體質量水平具有重要意義。

檢測項目

尺寸偏差,表面粗糙度,電阻率均勻性,氧含量,碳含量,少子壽命,晶體缺陷密度,彎曲度,厚度均勻性,翹曲度,金屬雜質濃度,表面金屬污染,體金屬含量,載流子濃度,少數載流子擴散長度,表面氧化層厚度,晶向偏差,表面顆粒數,邊緣崩邊率,抗拉強度,熱穩(wěn)定性,紅外透過率,摻雜均勻性,切割損傷層深度,氧沉淀密度

檢測范圍

單晶硅片,多晶硅片,拋光硅片,研磨硅片,太陽能級硅片,半導體級硅片,N型硅片,P型硅片,外延硅片,SOI硅片,退火硅片,摻雜硅片,超薄硅片,重摻硅片,輕摻硅片,8英寸硅片,12英寸硅片,6英寸硅片,測試硅片,回收硅片,激光切割硅片,化學機械拋光硅片,異形硅片,高阻硅片,低阻硅片

檢測方法

四探針法（測量電阻率均勻性）,傅里葉變換紅外光譜法（分析氧碳含量）,微波光電導衰減法（測定少子壽命）,X射線衍射法（檢測晶體缺陷密度）,激光掃描法（測量厚度均勻性）,表面輪廓儀（評估表面粗糙度）,原子力顯微鏡（觀測微觀表面形貌）,電感耦合等離子體質譜法（分析金屬雜質濃度）,橢偏儀（測定氧化層厚度）,熱波法（檢測切割損傷層深度）,紫外可見分光光度計（分析紅外透過率）,霍爾效應測試儀（測量載流子濃度）,X射線熒光光譜法（檢測表面金屬污染）,高溫退火實驗（評估熱穩(wěn)定性）,金相顯微鏡（觀察邊緣崩邊率）

檢測儀器

四探針測試儀,傅里葉變換紅外光譜儀,微波光電導衰減儀,X射線衍射儀,激光掃描測厚儀,表面輪廓儀,原子力顯微鏡,電感耦合等離子體質譜儀,橢偏儀,熱波檢測系統(tǒng),紫外可見分光光度計,霍爾效應測試儀,X射線熒光光譜儀,高溫退火爐,金相顯微鏡,顆粒計數器,翹曲度測量儀,少子壽命測試儀,晶向測試儀,拉伸試驗機

實驗儀器

測試流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。

2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準。

3.關于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（硅片檢測國家檢測標準）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。