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芯片剪切強(qiáng)度檢測

原創(chuàng)發(fā)布者:北檢院    發(fā)布時間:2025-04-08     點(diǎn)擊數(shù):

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注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試望見諒。

芯片剪切強(qiáng)度檢測技術(shù)解析

在半導(dǎo)體封裝工藝中,芯片與基板或框架的黏結(jié)強(qiáng)度是影響器件可靠性的關(guān)鍵因素之一。剪切強(qiáng)度檢測作為評估封裝質(zhì)量的核心手段,能夠有效驗(yàn)證材料界面結(jié)合力,避免因機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致的開裂或失效。以下從檢測樣品、項(xiàng)目、方法及儀器等方面展開介紹。

一、檢測樣品

剪切強(qiáng)度檢測的對象主要包括封裝后的芯片,例如:

  • **BGA(球柵陣列封裝)**芯片的焊球與基板連接處;
  • **QFN(方形扁平無引腳封裝)**芯片的塑封體與引線框架結(jié)合面;
  • CSP(芯片級封裝)的硅芯片與基材黏結(jié)層。 此外,部分檢測會針對晶圓級封裝裸芯片進(jìn)行界面強(qiáng)度測試。

二、檢測項(xiàng)目

核心檢測項(xiàng)目為芯片剪切強(qiáng)度值,單位為MPa(兆帕)或N/mm²(牛/平方毫米)。輔助項(xiàng)目包括:

  1. 斷裂面分析:觀察剪切后界面斷裂形態(tài),判斷失效模式(如內(nèi)聚破壞、界面剝離等);
  2. 重復(fù)性測試:驗(yàn)證同一批次樣品的強(qiáng)度一致性;
  3. 環(huán)境試驗(yàn)后強(qiáng)度:例如高溫高濕(85℃/85%RH)或溫度循環(huán)后的剪切強(qiáng)度變化。

三、檢測方法

  1. 機(jī)械剪切測試 依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)JESD22-B117IPC-9708,使用剪切工具垂直于芯片表面施加推力,直至界面分離,記錄最大載荷值。適用于封裝體或焊點(diǎn)檢測。

  2. 推球測試(Ball Shear Test) 針對BGA焊球,采用專用夾具固定基板,以特定速度推剪焊球,計算剪切強(qiáng)度。需控制推刀高度與速度,避免基板變形干擾結(jié)果。

  3. 微米級局部剪切 通過微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)設(shè)備對微小區(qū)域(如銅柱凸點(diǎn))進(jìn)行精準(zhǔn)施力,適用于先進(jìn)封裝工藝的微觀界面評估。

四、檢測儀器

  1. 萬能材料試驗(yàn)機(jī) 配備高精度力傳感器(分辨率≤0.1N)及位移控制模塊,支持多種夾具適配,滿足不同封裝形式的測試需求。

  2. 自動剪切測試儀 集成光學(xué)定位與自動化控制系統(tǒng),可批量測試并生成強(qiáng)度分布曲線,適用于生產(chǎn)線質(zhì)量控制。

  3. 顯微剪切設(shè)備 結(jié)合顯微鏡與納米級力學(xué)模塊,實(shí)現(xiàn)微觀區(qū)域剪切力的實(shí)時監(jiān)測與圖像記錄,用于科研級分析。

五、總結(jié)

芯片剪切強(qiáng)度檢測是確保封裝可靠性的核心環(huán)節(jié)。通過科學(xué)選擇樣品、規(guī)范測試方法并搭配高精度儀器,可精準(zhǔn)評估界面結(jié)合性能,為半導(dǎo)體器件的設(shè)計優(yōu)化與失效分析提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展,檢測技術(shù)也將向更高精度與自動化方向迭代。

實(shí)驗(yàn)儀器

實(shí)驗(yàn)室儀器 實(shí)驗(yàn)室儀器 實(shí)驗(yàn)室儀器 實(shí)驗(yàn)室儀器

測試流程

芯片剪切強(qiáng)度檢測流程

注意事項(xiàng)

1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。

2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考,因?yàn)槊總€樣品和項(xiàng)目都有所不同,所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。

3.關(guān)于(樣品量)的需求,最好是先咨詢我們的工程師確定,避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗(yàn)周期一般是五個工作日左右,部分樣品有所差異

5.如果對于(芯片剪切強(qiáng)度檢測)還有什么疑問,可以咨詢我們的工程師為您一一解答。

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