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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個(gè)人委托測(cè)試望見(jiàn)諒。

信息概要

硅片鈉鉀污染檢測(cè)是半導(dǎo)體和光伏行業(yè)質(zhì)量控制的重要環(huán)節(jié)，鈉（Na）和鉀（K）作為常見(jiàn)的堿金屬污染物，會(huì)嚴(yán)重影響硅片的電學(xué)性能和器件可靠性。第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)通過(guò)專業(yè)設(shè)備和方法，精準(zhǔn)分析硅片表面及體內(nèi)的鈉鉀含量，幫助客戶優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品良率。檢測(cè)服務(wù)涵蓋原材料篩查、生產(chǎn)過(guò)程監(jiān)控及成品質(zhì)量驗(yàn)證，確保硅片符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（如SEMI、ISO）及客戶特定需求。

檢測(cè)項(xiàng)目

鈉含量，鉀含量，表面污染濃度，體內(nèi)污染分布，污染深度剖面，顆粒污染物，氧化層鈉鉀含量，金屬雜質(zhì)總量，表面吸附量，離子遷移率，污染來(lái)源分析，熱處理影響評(píng)估，清洗工藝效果驗(yàn)證，環(huán)境污染物附著量，表面粗糙度與污染相關(guān)性，電學(xué)性能影響評(píng)估，鈍化層鈉鉀滲透率，界面態(tài)密度，載流子壽命，污染與缺陷關(guān)聯(lián)性

檢測(cè)范圍

單晶硅片，多晶硅片，拋光硅片，研磨硅片，外延硅片，SOI硅片，太陽(yáng)能級(jí)硅片，半導(dǎo)體級(jí)硅片，超薄硅片，重?fù)焦杵?，輕摻硅片，氮化硅涂層硅片，碳化硅涂層硅片，退火硅片，離子注入硅片，擴(kuò)散硅片，蝕刻硅片，光刻膠殘留硅片，化學(xué)機(jī)械拋光硅片，回收硅片

檢測(cè)方法

二次離子質(zhì)譜法（SIMS）：通過(guò)離子濺射逐層分析硅片體內(nèi)鈉鉀分布

原子吸收光譜法（AAS）：測(cè)定硅片溶解液中鈉鉀元素含量

電感耦合等離子體質(zhì)譜法（ICP-MS）：高靈敏度檢測(cè)痕量鈉鉀污染

全反射X射線熒光光譜法（TXRF）：非破壞性分析硅片表面金屬污染

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法（TOF-SIMS）：實(shí)現(xiàn)表面污染三維成像

輝光放電質(zhì)譜法（GD-MS）：檢測(cè)體材料中ppb級(jí)鈉鉀雜質(zhì)

傅里葉變換紅外光譜法（FTIR）：分析鈉鉀引起的晶格缺陷

掃描電子顯微鏡-能譜法（SEM-EDS）：定位微區(qū)鈉鉀污染位置

俄歇電子能譜法（AES）：表面5nm深度內(nèi)元素定量分析

X射線光電子能譜法（XPS）：測(cè)定表面化學(xué)態(tài)及污染濃度

熱脫附光譜法（TDS）：評(píng)估熱處理過(guò)程中鈉鉀釋放特性

電容-電壓法（C-V）：檢測(cè)鈉鉀污染對(duì)MOS結(jié)構(gòu)的影響

表面光電壓法（SPV）：評(píng)估污染導(dǎo)致的少子壽命變化

微波光電導(dǎo)衰減法（μ-PCD）：非接觸測(cè)量載流子復(fù)合特性

激光誘導(dǎo)擊穿光譜法（LIBS）：快速篩查表面污染分布

檢測(cè)儀器

二次離子質(zhì)譜儀，原子吸收光譜儀，電感耦合等離子體質(zhì)譜儀，全反射X射線熒光光譜儀，飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀，輝光放電質(zhì)譜儀，傅里葉變換紅外光譜儀，掃描電子顯微鏡，能譜儀，俄歇電子能譜儀，X射線光電子能譜儀，熱脫附分析儀，電容-電壓測(cè)試儀，表面光電壓測(cè)試系統(tǒng)，微波光電導(dǎo)衰減測(cè)試儀

實(shí)驗(yàn)儀器

測(cè)試流程

注意事項(xiàng)

1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。

2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考，因?yàn)槊總€(gè)樣品和項(xiàng)目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。

3.關(guān)于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗(yàn)周期一般是五個(gè)工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對(duì)于（硅片鈉鉀污染）還有什么疑問(wèn)，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。