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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個(gè)人委托測(cè)試望見諒。

信息概要

晶圓級(jí)封裝熱翹曲測(cè)試（JESD22-B112）是針對(duì)半導(dǎo)體封裝在溫度變化條件下翹曲行為的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試方法。該測(cè)試主要用于評(píng)估晶圓級(jí)封裝在熱循環(huán)或高溫環(huán)境中的形變特性，確保其可靠性和穩(wěn)定性。檢測(cè)的重要性在于，熱翹曲可能導(dǎo)致封裝結(jié)構(gòu)失效、連接斷裂或性能下降，進(jìn)而影響最終產(chǎn)品的質(zhì)量和壽命。通過(guò)此項(xiàng)測(cè)試，可以提前識(shí)別潛在問(wèn)題，優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)，提高產(chǎn)品良率。

檢測(cè)項(xiàng)目

熱翹曲量，翹曲方向，溫度循環(huán)范圍，升溫速率，降溫速率，最大翹曲溫度，翹曲恢復(fù)率，熱膨脹系數(shù)，應(yīng)力分布，形變均勻性，封裝厚度變化，表面平整度，材料熱穩(wěn)定性，熱循環(huán)次數(shù)，翹曲滯后效應(yīng)，熱導(dǎo)率，封裝層間結(jié)合力，翹曲與濕度關(guān)系，翹曲與壓力關(guān)系，翹曲與時(shí)間關(guān)系

檢測(cè)范圍

晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP），扇出型晶圓級(jí)封裝（Fan-Out WLP），扇入型晶圓級(jí)封裝（Fan-In WLP），3D晶圓級(jí)封裝，硅通孔（TSV）封裝，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）封裝，光學(xué)器件封裝，射頻器件封裝，功率器件封裝，傳感器封裝，存儲(chǔ)器封裝，邏輯器件封裝，模擬器件封裝，混合信號(hào)器件封裝，光電子器件封裝，生物芯片封裝，柔性電子封裝，高溫封裝，低溫封裝，高密度互連封裝

檢測(cè)方法

熱機(jī)械分析（TMA）：測(cè)量材料在溫度變化下的尺寸變化。

數(shù)字圖像相關(guān)（DIC）：通過(guò)圖像分析獲取翹曲形變數(shù)據(jù)。

激光掃描測(cè)距：利用激光測(cè)量封裝表面高度變化。

紅外熱成像：監(jiān)測(cè)溫度分布與翹曲關(guān)系。

X射線衍射（XRD）：分析材料內(nèi)部應(yīng)力分布。

光學(xué)輪廓儀：測(cè)量表面形貌和翹曲量。

動(dòng)態(tài)機(jī)械分析（DMA）：評(píng)估材料動(dòng)態(tài)熱機(jī)械性能。

熱重分析（TGA）：測(cè)定材料熱穩(wěn)定性。

顯微干涉儀：高精度測(cè)量微米級(jí)翹曲。

應(yīng)變片測(cè)試：通過(guò)應(yīng)變片記錄局部形變。

超聲波檢測(cè)：評(píng)估封裝層間結(jié)合狀態(tài)。

拉曼光譜：分析材料熱應(yīng)力引起的分子結(jié)構(gòu)變化。

有限元模擬（FEA）：通過(guò)仿真預(yù)測(cè)翹曲行為。

熱循環(huán)測(cè)試：模擬實(shí)際溫度變化環(huán)境。

濕度-溫度復(fù)合測(cè)試：評(píng)估濕熱耦合條件下的翹曲特性。

檢測(cè)儀器

熱機(jī)械分析儀，激光掃描儀，紅外熱像儀，X射線衍射儀，光學(xué)輪廓儀，動(dòng)態(tài)機(jī)械分析儀，熱重分析儀，顯微干涉儀，應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)，超聲波檢測(cè)儀，拉曼光譜儀，有限元分析軟件，熱循環(huán)試驗(yàn)箱，濕度-溫度試驗(yàn)箱，數(shù)字圖像相關(guān)系統(tǒng)

實(shí)驗(yàn)儀器

測(cè)試流程

注意事項(xiàng)

1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。

2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考，因?yàn)槊總€(gè)樣品和項(xiàng)目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。

3.關(guān)于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗(yàn)周期一般是五個(gè)工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對(duì)于（晶圓級(jí)封裝熱翹曲測(cè)試（JESD22-B112））還有什么疑問(wèn)，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。